2004-11-24 テラヘルツ帯で発振可能な新しい負性抵抗ナノトランジスタの開発に成功 http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2004/pr20041124/pr20041124.html 『超高周波発振素子を持つ化合物半導体ICの実現へ』おおっ!