<a href="http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2005/pr20050303/pr20050303.html">世界最小のオン抵抗値を有するノーマリーオフ型SiCパワーMOSFET（IEMOS）の開発に成功</a>

• ノーマリーオフ型のSiCパワーMOSFETにおいて、Pウエルを高濃度のイオン注入層とエピタキシャル層の積層構造で形成することにより、1100Vの高耐圧と4.3mΩcm2の世界最小のオン抵抗値を達成
• バイポーラ型のSi-IGBTの1/5のオン抵抗をユニポーラ型で実現することにより、高速・低損失パワースイッチング素子を実現
• エアコン、IHヒーター等の家庭用電化機器の省エネルギー化を更に促進

とのこと